第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，具有高频高效、耐高温耐高压等优势，是新能源汽车、快充、5G基站等领域的核心材料。近年来，我国第三代半导体产业从研发步入产业化快车道，产能规模持续扩大。
在新能源汽车领域，碳化硅器件能够显著提升电驱系统效率，延长续航里程。随着800V高压平台车型快速普及，碳化硅主逆变器需求爆发式增长。国内企业在衬底、外延、器件全产业链布局，6英寸产线稳定量产，8英寸产线加速建设。
在快充领域，氮化镓充电器已经走进千家万户。从小功率手机快充到大功率笔电适配器，氮化镓器件让充电器体积更小、效率更高。国内厂商在氮化镓功率器件领域占据了较大市场份额，产品远销全球。
业内人士表示，我国第三代半导体产业正处于从跟跑到并跑的关键阶段。在衬底材料方面与国际先进水平仍有差距，但封装、应用和市场端具备优势。持续加大研发投入，完善产业链配套，国产第三代半导体未来可期。